Halbleiter

Niederdimensionale III-V Halbleiter werden mit Hilfe von Rstertunnelmikroskopie/spektroskopie, Photoemissionsspektroskopie und Transportmessungen untersucht. Speziell dienen zwei-dimensionale Systeme als Prototypen für einstellbare Quantenphasenübergänge.

Zentrales Ziel ist die Bestimmung von Charakteristika der Elektronenphasen und Phasenübergängen im Realraum.

Methoden

  • Winkelaufgelöste Photoemission (ARPES)
  • Rastertunnelmikroskopie (STM) und -spektroskopie (STS)

Altuelle Projekte

k-Raum-Messungen von zweidimensionalen Elektronengasen in Halbleitern (ARPES)
Landauniveau-Spektroskopie (STS)
Realraum-Abbildung von Quanten-Hall-Übergängen (STS)
Knotenstrukturen von Landau-Niveau-Wellenfunktionen (STS)
Messung des lokalen Rashba-Parameters (STS)
Messung der Elektron-Elektron-Wechselwirkung (STS)
Rastertunnelspektroskopiebild (STS) der lokalen Zustandsdichte (LDOS) mit einem ausgedehnten Zustand im Zentrum eines Landau-Niveaus.

Rastertunnelspektroskopiebild (STS) der lokalen Zustandsdichte (LDOS) mit einem ausgedehnten Zustand im Zentrum eines Landau-Niveaus.

Hartree-Rechnung der lokalen Zustandsdichte von einem ausgedehnten Zustand im Zentrum eines Landau-Niveaus.

Hartree-Rechnung der lokalen Zustandsdichte von einem ausgedehnten Zustand im Zentrum eines Landau-Niveaus.